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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6P3300HR5 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET) |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管（N溝道增強型MOSFET的側(cè)） |
| 文件頁數(shù)： | 13/24頁 |
| 文件大小： | 879K |
| 代理商： | MRF6P3300HR5 |
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL TWO-TONE BROADBAND CHARACTERISTICS
Figure 22. Two-Tone Power Gain versus
Output Power @ 473 MHz
21
24.5
5
I
DQ
= 2400 mA
2000 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
24
23
22
100
1000
G
p
,
1600 mA
23.5
22.5
21.5
10
1200 mA
800 mA
Figure 23. Two-Tone Power Gain versus
Output Power @ 560 MHz
20
23.5
5
I
DQ
= 2400 mA
2000 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
23
22
21
100
1000
G
p
,
1600 mA
22.5
21.5
20.5
10
1200 mA
800 mA
Figure 24. Two-Tone Power Gain versus
Output Power @ 660 MHz
18.5
21
5
I
DQ
= 2400 mA
2000 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
20.5
19
100
1000
G
p
,
1600 mA
20
19.5
10
1200 mA
800 mA
Figure 25. Two-Tone Power Gain versus
Output Power @ 760 MHz
16.5
19
5
I
DQ
= 2400 mA
2000 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
18.5
17
100
1000
G
p
,
1600 mA
18
17.5
10
1200 mA
800 mA
V
DD
= 32 Vdc, f1 = 757 MHz, f2 = 763 MHz
TwoTone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
V
DD
= 32 Vdc, f1 = 657 MHz, f2 = 663 MHz
TwoTone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
Figure 26. Two-Tone Power Gain versus
Output Power @ 857 MHz
17.5
20
5
I
DQ
= 2400 mA
2000 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
19.5
18
100
1000
G
p
,
1600 mA
19
18.5
10
1200 mA
800 mA
V
DD
= 32 Vdc, f1 = 854 MHz, f2 = 860 MHz
TwoTone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
V
DD
= 32 Vdc, f1 = 470 MHz, f2 = 476 MHz
TwoTone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
V
DD
= 32 Vdc, f1 = 557 MHz, f2 = 563 MHz
TwoTone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
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