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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6P3300HR5 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET) |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管（N溝道增強型MOSFET的側(cè)） |
| 文件頁數(shù)： | 18/24頁 |
| 文件大小： | 879K |
| 代理商： | MRF6P3300HR5 |
18
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
TYPICAL CW BROADBAND CHARACTERISTICS
Figure 43. Pulse CW Output Power versus
Input Power @ 470 MHz
33
57
29
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
f = 470 MHz
51
30
31
32
Actual
Ideal
56.5
56
28
P
o
,
55
54
53
52
28.5
P1dB = 53.59 dBm
(228.67 W)
55.5
54.5
53.5
52.5
51.5
29.5
30.5
31.5
32.5
Figure 44. Pulse CW Output Power versus
Input Power @ 560 MHz
36
59
30
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
f = 560 MHz
53
31
32
34
Actual
Ideal
29
P
o
,58
57
55
54
P1dB = 54.84 dBm
(304.81 W)
33
35
56
P3dB = 55.49 dBm
(353.76 W)
Figure 45. Pulse CW Output Power versus
Input Power @ 660 MHz
38
60
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
f = 660 MHz
51
31
32
34
Actual
Ideal
30
P
o
,58
57
55
54
P1dB = 54.04 dBm
(253.67 W)
33
35
56
P3dB = 54.88 dBm
(307.45 W)
59
53
52
36
37
Figure 46. Pulse CW Output Power versus
Input Power @ 760 MHz
39
60
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
f = 760 MHz
51
32
33
35
Actual
Ideal
31
P
o
,58
57
55
54
P1dB = 54.56 dBm
(286.06 W)
34
36
56
P3dB = 55.25 dBm
(334.73 W)
59
53
52
37
38
Figure 47. Pulse CW Output Power versus
Input Power @ 860 MHz
40
60
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
f = 860 MHz
52
33
34
36
Actual
Ideal
32
P
o
,
58
57
55
54
P1dB = 54.82 dBm
(303.25 W)
35
37
56
P3dB = 55.58 dBm
(361.21 W)
59
53
38
39
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