參數(shù)資料
型號： MIXA20WB1200TED
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： E2-PACK-24
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 273K
代理商： MIXA20WB1200TED
2010 IXYS All rights reserved
8 - 8
20100629d
MIXA20WB1200TED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Brake T7 & D7
0
1
2
3
0
4
8
12
16
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
V
CE [V]
I
C
[A]
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
10
100
1000
10000
100000
R
[Ω]
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
Fig. 13 Typ. output characteristics
V
CE [V]
I
C
[A]
Fig. 14 Typ. forward characteristics
Z
thJC
[K/W]
Fig. 15 Typ. transient thermal impedance
t
P [s]
Fig.16 Typ. NTC resistance vs. temperature
T
C [°C]
V
GE = 15 V
T
VJ = 125°C
diode
IGBT
T
VJ = 25°C
Inverter-IGBT Inverter-FRD
R
i
t
i
R
i
t
i
1 0.446 0.002 1.005 0.002
2 0.415 0.03 0.856 0.03
3 0.672 0.03 1.494 0.03
4 0.467 0.08 0.045 0.08
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MIXA225RF1200TSF 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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