參數(shù)資料
型號(hào)： MIXA20WB1200TED
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： E2-PACK-24
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 273K
代理商： MIXA20WB1200TED
2010 IXYS All rights reserved
7 - 8
20100629d
MIXA20WB1200TED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
200
300
400
500
600
700
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
10
20
30
40
Q
rr
[C]
I
F
[A]
V
F [V]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
T
VJ =
25°C
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
10 A
20 A
40 A
Fig. 7 Typ. Forward current versus V
F
Fig. 8 Typ. reverse recov.charge Q
rr vs. di/dt
200
300
400
500
600
700
0
5
10
15
20
25
30
35
I
RR
[A]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
10 A
20 A
40 A
Fig. 9 Typ. peak reverse current I
RM vs. di/dt
200
300
400
500
600
700
0
100
200
300
400
500
600
700
t
rr
[ns]
di
F /dt [A/s]
10 A
20 A
40 A
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
Fig. 10 Typ. recovery time t
rr versus di/dt
Fig. 11 Typ. recovery energy E
rec versus di/dt
200
300
400
500
600
700
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
E
rec
[mJ]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
10 A
20 A
40 A
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
p [s]
Z
thJC
[K/W]
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
Diode
IGBT
IGBT
FRD
R
i
ti
R
i
ti
1 0.252 0.0015 0.461 0.0015
2 0.209 0.03
0.291 0.03
3 0.541 0.03
0.423 0.03
4 0.258 0.08
0.326 0.08
Inverter D1 - D6
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PDF描述
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MIXA30WB1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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MIXA80W1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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MIXA225RF1200TSF 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA300PF1200TSF 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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