參數(shù)資料
型號(hào)： MIXA80WB1200TEH
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 564K
代理商： MIXA80WB1200TEH
2010 IXYS All rights reserved
1 - 8
20100629c
MIXA80WB1200TEH
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Converter - Brake - Inverter
Module
XPT IGBT
Single Phase
Rectifier
Brake
Chopper
Three Phase
Inverter
V
RRM
= 1600 V V
CES = 1200 V
V
CES = 1200 V
I
DAVM25 =
390 A I
C25
= 60 A I
C25
= 120 A
I
FSM
= 1100 A V
CE(sat) = 1.8 V VCE(sat) = 1.8 V
Pin configuration see outlines.
Features:
Easy paralleling due to the positive
temperature coefficient of the on-state
voltage
Rugged XPT design
(Xtreme light Punch Through) results in:
- short circuit rated for 10 sec.
- very low gate charge
- square RBSOA @ 3x I
C
- low EMI
Thin wafer technology combined with
the XPT design results in a competitive
low V
CE(sat)
SONIC diode
- fast and soft reverse recovery
- low operating forward voltage
Application:
AC motor drives
Solar inverter
Medical equipment
Uninterruptible power supply
Air-conditioning systems
Welding equipment
Switched-mode and
resonant-mode power supplies
Package:
"E3-Pack" standard outline
Insulated copper base plate
Soldering pins for PCB mounting
Temperature sense included
Part name (Marking on product)
MIXA80WB1200TEH
21
22
1
D12
2
D13
D7
T7
D1
D3
D5
D2
D4
D6
T1
T3
T5
T2
T4
T6
D15
D11
D14
D16
3
23
24
14
7
16
15
11
10
18
17
12
6
20
19
13
5
4
NTC
8
9
E72873
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ10005P 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10004P 20 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MIXA81H1200EH 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module H Bridge RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA81WB1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXED-SIGNAL-DC 功能描述:DAUGHTER CARD MIXED SIGNAL RoHS:否 類(lèi)別:編程器，開(kāi)發(fā)系統(tǒng) >> 配件 系列:* 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program RoHS指令信息:IButton RoHS Compliance Plan 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 附件類(lèi)型:USB 至 1-Wire? RJ11 適配器 適用于相關(guān)產(chǎn)品:1-Wire? 設(shè)備 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1429 (CN2011-ZH PDF)
MIXED-SIGNL-DSP-HB 功能描述:DATABOOK DESIGN TECHNIQUES RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 配件 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 樣式:手冊(cè) 類(lèi)型:信號(hào)分析 標(biāo)題:Understanding Signals 所含物品:生成、查看和測(cè)量波形的指南 其它名稱(chēng):70009PAR
MIXING NOZZLE 功能描述:MIX NOZZLE SQ ORANGE 45ML 36/BAG 制造商:3m 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:36
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