參數(shù)資料
型號： MIXA80WB1200TEH
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 564K
代理商： MIXA80WB1200TEH
2010 IXYS All rights reserved
7 - 8
20100629c
MIXA80WB1200TEH
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
4
8
12
16
20
24
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
50
100
150
200
Q
rr
[C]
I
F
[A]
V
F [V]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
50 A
100 A
200 A
Fig. 7 Typ. Forward current versus V
F
Fig. 8 Typ. reverse recov.charge Q
rr vs. di/dt
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
40
60
80
100
120
140
160
I
RR
[A]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
200 A
50 A
100 A
Fig. 9 Typ. peak reverse current I
RM vs. di/dt
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
0
100
200
300
400
500
600
700
t
rr
[ns]
di
F /dt [A/s]
200 A
50 A
100 A
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
Fig. 10 Typ. recovery time t
rr versus di/dt
Fig. 11 Typ. recovery energy E
rec versus di/dt
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
0
2
4
6
8
E
rec
[mJ]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
200 A
50 A
100 A
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
t
p [s]
Z
thJC
[K/W]
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
IGBT
Diode
Inverter IGBT
Inverter FRD
R
i
t
i
R
i
t
i
1 0.072 0.002
0.092 0.002
2 0.037 0.03
0.067 0.03
3 0.156 0.03
0.155 0.03
4 0.055 0.08
0.086 0.08
Inverter D1 - D6
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PDF描述
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MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ10005P 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10004P 20 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
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