參數(shù)資料
型號： MIXA80WB1200TEH
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 564K
代理商： MIXA80WB1200TEH
2010 IXYS All rights reserved
8 - 8
20100629c
MIXA80WB1200TEH
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
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1
2
3
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10
20
30
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50
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70
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
10
20
30
40
50
60
V
CE [V]
I
C
[A]
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
10
100
1000
10000
100000
R
[Ω]
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
Fig. 13 Typ. output characteristics
V
CE [V]
I
C
[A]
Fig. 14 Typ. forward characteristics
Z
thJC
[K/W]
Fig. 15 Typ. transient thermal impedance
t
P [s]
Fig.16 Typ. NTC resistance vs. temperature
T
C [°C]
V
GE = 15 V
T
VJ = 125°C
diode
IGBT
T
VJ = 25°C
Brake T7 & D7
Brake IGBT
Brake FRD
R
i
t
i
R
i
t
i
1
0.152
0.002
0.3413 0.002
2 0.0724 0.03
0.2171 0.03
3 0.0378 0.03
0.3475 0.03
4 0.1078 0.08
0.2941 0.08
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PDF描述
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MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ10005P 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10004P 20 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
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