參數(shù)資料
型號(hào)： MIXA30WB1200TED
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： E2-PACK-24
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 199K
代理商： MIXA30WB1200TED
2010 IXYS All rights reserved
1 - 8
20100629b
MIXA30WB1200TED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Converter - Brake - Inverter
Module
XPT IGBT
Single Phase
Rectifier
Brake
Chopper
Three Phase
Inverter
V
RRM
= 1600 V V
CES = 1200 V
V
CES = 1200 V
I
DAVM25 =
150 A I
C25
= 17 A I
C25
= 43 A
I
FSM
= 320 A V
CE(sat) = 1.8 V VCE(sat) = 1.8 V
Pin configuration see outlines.
Features:
Easy paralleling due to the positive
temperature coefficient of the on-state
voltage
Rugged XPT design
(Xtreme light Punch Through) results in:
- short circuit rated for 10 sec.
- very low gate charge
- low EMI
Thin wafer technology combined with
the XPT design results in a competitive
low V
CE(sat)
SONIC diode
- fast and soft reverse recovery
- low operating forward voltage
Application:
AC motor drives
Solar inverter
Medical equipment
Uninterruptible power supply
Air-conditioning systems
Welding equipment
Switched-mode and
resonant-mode power supplies
Package:
"E2-Pack" standard outline
Insulated copper base plate
Soldering pins for PCB mounting
Temperature sense included
Part name (Marking on product)
MIXA30WB1200TED
E 72873
21
22
1
D12
2
D13
D7
T7
D1
D3
D5
D2
D4
D6
T1
T3
T5
T2
T4
T6
D15
D11
D14
D16
3
23
24
14
7
16
15
11
10
18
17
12
6
20
19
13
5
4
NTC
8
9
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PDF描述
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MIXA80W1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
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參數(shù)描述
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