參數(shù)資料
型號： MIXA30WB1200TED
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： E2-PACK-24
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 199K
代理商： MIXA30WB1200TED
2010 IXYS All rights reserved
6 - 8
20100629b
MIXA30WB1200TED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Inverter T1 - T6
0
1
2
3
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
V
CE [V]
I
C
[A]
Q
G [nC]
V
GE
[V]
9 V
11 V
5
6
7
8
9
10 11 12 13
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
13 V
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
E
[mJ]
E
off
T
VJ = 125°C
Fig. 1 Typ. output characteristics
VGE = 15 V
V
CE [V]
I
C
[A]
VGE = 15 V
17 V
19 V
Fig. 2 Typ. output characteristics
I
C
[A]
Fig. 3 Typ. tranfer characteristics
V
GE [V]
Fig. 4 Typ. turn-on gate charge
Fig. 5 Typ. switching energy vs. collector current
E
on
Fig. 6 Typ. switching energy vs. gate resistance
R
G [Ω ]
E
[mJ]
I
C [A]
E
on
E
off
I
C
= 25 A
V
CE = 600 V
R
G =
39 W
V
CE = 600 V
V
GE = ±15 V
T
VJ = 125°C
I
C =
25 A
V
CE = 600 V
V
GE = ±15 V
T
VJ = 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIXA60W1200TED 85 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80W1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MIXA40WB1200TED 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA450PF1200TSF 功能描述:IGBT 模塊 1200V XPT Phase-legs XPT IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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