參數資料
型號： MIXA80W1200TEH
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁數： 1/7頁
文件大小： 530K
代理商： MIXA80W1200TEH
2010 IXYS All rights reserved
1 - 7
20100924a
MIXA80W1200TEH
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Six-Pack
XPT IGBT
V
CES
=1200V
I
C25
= 120A
V
CE(sat)=
1.8V
Pin configuration see outlines.
Features:
Easy paralleling due to the positive
temperature coefficient of the on-state
voltage
Rugged XPT design
(Xtreme light Punch Through) results in:
- short circuit rated for 10 sec.
- very low gate charge
- square RBSOA @ 3x I
C
- low EMI
Thin wafer technology combined with
the XPT design results in a competitive
low V
CE(sat)
SONIC diode
- fast and soft reverse recovery
- low operating forward voltage
Application:
AC motor drives
Solar inverter
Medical equipment
Uninterruptible power supply
Air-conditioning systems
Welding equipment
Switched-mode and
resonant-mode power supplies
Package:
"E3-Pack" standard outline
Insulated copper base plate
Soldering pins for PCB mounting
Temperature sense included
Optimizes pin layout
Partname (Marking on product)
MIXA80W1200TEH
E72873
9
10
11
12
5
6
7
8
1
2
3
4
NTC
19
20
16, 17, 18
13, 14, 15
27
28
29
24
25
26
21
22
23
30, 31, 32
33, 34, 35
D1
D5
D2
D6
D4
D3
T1
T5
T2
T6
T4
T3
相關PDF資料
PDF描述
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ10005P 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10004P 20 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
相關代理商/技術參數
參數描述
MIXA80WB1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA81H1200EH 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module H Bridge RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA81WB1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXED-SIGNAL-DC 功能描述:DAUGHTER CARD MIXED SIGNAL RoHS:否 類別:編程器，開發(fā)系統(tǒng) >> 配件 系列:* 產品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program RoHS指令信息:IButton RoHS Compliance Plan 標準包裝:1 系列:- 附件類型:USB 至 1-Wire? RJ11 適配器 適用于相關產品:1-Wire? 設備 產品目錄頁面:1429 (CN2011-ZH PDF)
MIXED-SIGNL-DSP-HB 功能描述:DATABOOK DESIGN TECHNIQUES RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 配件 系列:- 標準包裝:1 系列:- 樣式:手冊 類型:信號分析 標題:Understanding Signals 所含物品:生成、查看和測量波形的指南 其它名稱:70009PAR
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