參數(shù)資料
型號(hào)： MIXA80W1200TEH
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 530K
代理商： MIXA80W1200TEH
2010 IXYS All rights reserved
5 - 7
20100924a
MIXA80W1200TEH
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
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40
60
80
100
120
140
0
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2
4
6
8
10
12
14
16
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2.5
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4.0
4.5
0
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V
CE [V]
I
C
[A]
Q
G [nC]
V
GE
[V]
9 V
11 V
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0
20
40
60
80
100
120
140
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
13 V
8
10
12
14
16
18
20
22
24
5
6
7
8
9
10
E
[mJ]
E
off
Fig. 1 Typ. output characteristics
V
CE [V]
I
C
[A]
V
GE = 15 V
17 V
19 V
Fig. 2 Typ. output characteristics
I
C
[A]
Fig. 3 Typ. tranfer characteristics
V
GE [V]
Fig. 4 Typ. turn-on gate charge
Fig. 5 Typ. switching energy vs. collector current
E
on
Fig. 6 Typ. switching energy vs. gate resistance
R
G [Ω]
E
[mJ]
I
C [A]
E
on
E
off
I
C
= 75 A
V
CE = 600 V
R
G =
10 Ω
V
CE = 600 V
V
GE = ±15 V
T
VJ = 125°C
I
C =
75 A
V
CE = 600 V
V
GE = ±15 V
T
VJ = 125°C
V
GE = 15 V
T
VJ = 125°C
TransistorT1-T6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ10005P 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10004P 20 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MIXA80WB1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA81H1200EH 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module H Bridge RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA81WB1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXED-SIGNAL-DC 功能描述:DAUGHTER CARD MIXED SIGNAL RoHS:否 類別:編程器，開發(fā)系統(tǒng) >> 配件 系列:* 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program RoHS指令信息:IButton RoHS Compliance Plan 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 附件類型:USB 至 1-Wire? RJ11 適配器 適用于相關(guān)產(chǎn)品:1-Wire? 設(shè)備 產(chǎn)品目錄頁面:1429 (CN2011-ZH PDF)
MIXED-SIGNL-DSP-HB 功能描述:DATABOOK DESIGN TECHNIQUES RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 配件 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 樣式:手冊 類型:信號(hào)分析 標(biāo)題:Understanding Signals 所含物品:生成、查看和測量波形的指南 其它名稱:70009PAR
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