參數(shù)資料
型號： MIXA80W1200TEH
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 530K
代理商： MIXA80W1200TEH
2010 IXYS All rights reserved
3 - 7
20100924a
MIXA80W1200TEH
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
TemperatureSensorNTC
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
R
25
B
25/50
resistance
T
C =
25°C
4.75
5.0
3375
5.25
k
W
K
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
T
VJ
T
VJM
T
stg
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
-40
125
150
125
°C
V
ISOL
isolation voltage
I
ISOL < 1 mA; 50/60 Hz
3000
V~
CTI
comparative tracking index
200
M
d
mounting torque (M5)
3
6
Nm
d
S
d
A
creep distance on surface
strike distance through air
10
7.5
mm
R
pin-chip
resistance pin to chip
2.5
mW
R
thCH
thermal resistance case to heatsink
with heatsink compound
0.02
K/W
Weight
300
g
EquivalentCircuitsforSimulation
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
V
0
R
0
IGBT
T1 - T6
T
VJ = 150°C
1.1
17.9
V
m
W
V
0
R
0
free wheeling diode
D1 - D6
T
VJ = 150°C
1.09
9.1
V
m
W
I
V
0
R
0
T
C = 25°C unless otherwise stated
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
MJ10005P 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10004P 20 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MIXA80WB1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA81H1200EH 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module H Bridge RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA81WB1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXED-SIGNAL-DC 功能描述:DAUGHTER CARD MIXED SIGNAL RoHS:否 類別:編程器，開發(fā)系統(tǒng) >> 配件 系列:* 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program RoHS指令信息:IButton RoHS Compliance Plan 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 附件類型:USB 至 1-Wire? RJ11 適配器 適用于相關(guān)產(chǎn)品:1-Wire? 設(shè)備 產(chǎn)品目錄頁面:1429 (CN2011-ZH PDF)
MIXED-SIGNL-DSP-HB 功能描述:DATABOOK DESIGN TECHNIQUES RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 配件 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 樣式:手冊 類型:信號分析 標(biāo)題:Understanding Signals 所含物品:生成、查看和測量波形的指南 其它名稱:70009PAR
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