型號(hào): | MIXA80W1200TEH |
廠(chǎng)商: | IXYS CORP |
元件分類(lèi): | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | MODULE-35 |
文件頁(yè)數(shù): | 7/7頁(yè) |
文件大?。?/td> | 530K |
代理商: | MIXA80W1200TEH |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
MIXA80WB1200TEH | 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
MJ10005PFI | 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
MJ10005 | 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
MJ10005P | 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
MJ10004P | 20 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
MIXA80WB1200TEH | 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
MIXA81H1200EH | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module H Bridge RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
MIXA81WB1200TEH | 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
MIXED-SIGNAL-DC | 功能描述:DAUGHTER CARD MIXED SIGNAL RoHS:否 類(lèi)別:編程器,開(kāi)發(fā)系統(tǒng) >> 配件 系列:* 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program RoHS指令信息:IButton RoHS Compliance Plan 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 附件類(lèi)型:USB 至 1-Wire? RJ11 適配器 適用于相關(guān)產(chǎn)品:1-Wire? 設(shè)備 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1429 (CN2011-ZH PDF) |
MIXED-SIGNL-DSP-HB | 功能描述:DATABOOK DESIGN TECHNIQUES RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 配件 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 樣式:手冊(cè) 類(lèi)型:信號(hào)分析 標(biāo)題:Understanding Signals 所含物品:生成、查看和測(cè)量波形的指南 其它名稱(chēng):70009PAR |