參數(shù)資料
型號(hào)： MIXA30WB1200TED
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： E2-PACK-24
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 199K
代理商： MIXA30WB1200TED
2010 IXYS All rights reserved
7 - 8
20100629b
MIXA30WB1200TED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
1
2
3
4
5
6
7
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
10
20
30
40
50
60
Q
rr
[C]
I
F
[A]
V
F [V]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
T
VJ =
25°C
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
15 A
30 A
60 A
Fig. 7 Typ. Forward current versus V
F
Fig. 8 Typ. reverse recov.charge Q
rr vs. di/dt
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
0
10
20
30
40
50
60
70
I
RR
[A]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
15 A
30 A
60 A
Fig. 9 Typ. peak reverse current I
RM vs. di/dt
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
0
100
200
300
400
500
600
700
t
rr
[ns]
di
F /dt [A/s]
15 A
30 A
60 A
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
Fig. 10 Typ. recovery time t
rr versus di/dt
Fig.11 Typ. recovery energy E
rec versus di/dt
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
E
rec
[mJ]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
15 A
30 A
60 A
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
p [s]
Z
thJC
[K/W]
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
Diode
IGBT
IGBT
FRD
R
i
t
i
R
i
t
i
1
0.18 0.0025 0.3413 0.0025
2
0.14 0.03
0.2171 0.03
3
0.36 0.03
0.3475 0.03
4
0.16 0.08
0.2941 0.08
Inverter D1 - D6
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PDF描述
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MIXA80W1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MJ10005PFI 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJ10005 20 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
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