參數(shù)資料
型號： MIXA20WB1200TED
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： E2-PACK-24
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 273K
代理商： MIXA20WB1200TED
2010 IXYS All rights reserved
5 - 8
20100629d
MIXA20WB1200TED
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Part number
M = Module
I = IGBT
A = MPT
X = Parallel Legs
20 = Current Rating [A]
WB = 6-Pack + 3~ Rectifier Bridge & Brake Unit
1200 = Reverse Voltage [V]
T = NTC
ED = E2-Pack
Ordering
Part Name
Marking on Product Delivering Mode Base Qty Ordering Code
Standard
MIXA20WB1200 TED
MIXA20WB1200TED
Box
6
507 490
Circuit Diagram
Outline Drawing
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394“)
21
22
1
D12
2
D13
D7
T7
D1
D3
D5
D2
D4
D6
T1
T3
T5
T2
T4
T6
D15
D11
D14
D16
3
23
24
14
7
16
15
11
10
18
17
12
6
20
19
13
5
4
NTC
8
9
Product Marking
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIXA30W1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA30WB1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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MIXA80W1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80WB1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
MIXA20WB1200TMH 功能描述:IGBT 模塊 1200V XPT CBI XPT IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA20WB1200TML 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA225PF1200TSF 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA225RF1200TSF 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA300PF1200TSF 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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