參數(shù)資料
型號(hào)： MIXA10W1200TMH
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-22
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
文件大?。?/td> 322K
代理商： MIXA10W1200TMH
2011 IXYS All rights reserved
6 - 6
20110322b
MIXA10W1200TMH
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
200
250
300
350
400
450
500
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
5
10
15
20
Q
rr
[C]
I
F
[A]
V
F [V]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
5 A
10 A
20 A
e
g
r
a
h
c
y
r
e
v
o
c
e
r
e
s
r
e
v
e
r
l
a
c
i
p
y
T
8
.
g
i
F
s
c
it
s
ir
e
t
c
a
r
a
h
c
d
r
a
w
r
o
f
.
p
y
T
7
.
g
i
F
Q
rr versus. diF/dt (125°C)
200
250
300
350
400
450
500
0
4
8
12
16
20
24
I
RR
[A]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
5 A
10 A
20 A
Fig. 9 Typical peak reverse current
I
RR versus diF/dt (125°C)
200
250
300
350
400
450
500
0
100
200
300
400
500
t
rr
[ns]
di
F /dt [A/s]
5 A
10 A
20 A
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
Fig. 10 Typ. recovery time t
rr vs. di/dt (125°C)
Fig. 11 Typ. recovery energy E
rec vs. diF/dt (125°C)
200
250
300
350
400
450
500
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
E
rec
[mJ]
di
F /dt [A/s]
T
VJ = 125°C
V
R = 600 V
5 A
10 A
20 A
Fig. 12 Transient thermal impedance
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
t
p [s]
Z
thJC
[K/W]
Diode
IGBT
IGBT
FRD
R
i
ti
R
i
ti
1 0.446 0.0015 0.8 0.002
2 0.415 0.03
0.58 0.03
3 0.672 0.03
0.98 0.03
4 0.467 0.08
0.04 0.08
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PDF描述
MIXA10WB1200TML 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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MIXA30WB1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA60W1200TED 85 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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