參數(shù)資料
型號(hào): MIXA10W1200TMH
廠商: IXYS CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-22
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 322K
代理商: MIXA10W1200TMH
2011 IXYS All rights reserved
4 - 6
20110322b
MIXA10W1200TMH
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Part number
M = Module
I = IGBT
X = XPT
A = standard
10 = Current Rating [A]
W = 6-Pack
1200 = Reverse Voltage [V]
T = NTC
MH = MiniPack2
Ordering
Part Name
Marking on Product Delivering Mode Base Qty Ordering Code
Standard
MIXA 10 W 1200 TMH
MIXA10W1200TMH
Box
20
509381
Circuit Diagram
Outline Drawing
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394“)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIXA10WB1200TML 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA20WB1200TED 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA30W1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA30WB1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MIXA10WB1200TED 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA10WB1200TMH 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA10WB1200TML 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA150Q1200VA 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: