參數資料
型號： MIXA10W1200TMH
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-22
文件頁數： 1/6頁
文件大?。?/td> 322K
代理商： MIXA10W1200TMH
2011 IXYS All rights reserved
1 - 6
20110322b
MIXA10W1200TMH
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Preliminary data
Six-Pack
XPT IGBT
Pin configuration see outlines.
Features:
High level of integration - only one
power semiconductor module required
for the whole drive
Rugged XPT design
(Xtreme light Punch Through) results in:
- short circuit rated for 10 sec.
- very low gate charge
- square RBSOA @ 3x I
C
- low EMI
Thin wafer technology combined with
the XPT design results in a competitive
low V
CE(sat)
Temperature sense included
SONIC diode
- fast and soft reverse recovery
- low operating forward voltage
Application:
AC motor drives
Pumps, Fans
Washing machines
Air-conditioning system
Inverter and power supplies
Package:
"Mini" package
Assembly height is 17 mm
Insulated base plate
Pins suitable for wave soldering and
PCB mounting
Assembly clips available
- IXKU 5-505 screw clamp
- IXRB 5-506 click clamp
UL registered E72873
Part name (Marking on product)
MIXA10W1200TMH
E 72873
V
CES
= 1200 V
I
C25
=
17 A
V
CE(sat) =
1.8 V
相關PDF資料
PDF描述
MIXA10WB1200TML 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA20WB1200TED 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA30W1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA30WB1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA60W1200TED 85 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數
參數描述
MIXA10W1200TML 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA10WB1200TED 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA10WB1200TMH 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA10WB1200TML 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA150Q1200VA 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*