參數(shù)資料
型號： MIXA10W1200TMH
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-22
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 322K
代理商： MIXA10W1200TMH
2011 IXYS All rights reserved
5 - 6
20110322b
MIXA10W1200TMH
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
0
1
2
3
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
0
4
8
12
16
20
V
CE [V]
I
C
[A]
9 V
11 V
5
6
7
8
9
10 11 12 13
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
0
5
10
15
20
V
GE
[V]
T
VJ = 25°C
T
VJ = 125°C
T
VJ = 25°C
13 V
80
120
160
200
240
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
E
[mJ]
E
on
Fig. 1 Typ. output characteristics
V
CE [V]
I
C
[A]
VGE = 15 V
17 V
19 V
Fig. 2 Typ. output characteristics
I
C
[A]
Fig. 3 Typ. tranfer characteristics
V
GE [V]
Fig. 4 Typ. turn-on gate charge
Fig. 5 Typ. switching energy vs. collector current
E
off
Fig. 6 Typ. switching energy vs. gate resistance
Q
G [nC]
R
G [Ω ]
E
[mJ]
I
C [A]
E
on
E
off
I
C =
10 A
V
CE = 600 V
V
GE = ±15 V
T
VJ = 125°C
R
G = 100
V
CE = 600 V
V
GE = ±15 V
T
VJ = 125°C
I
C
= 10 A
V
CE = 600 V
VGE = 15 V
T
VJ = 125°C
T
VJ = 125°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MIXA10WB1200TML 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA20WB1200TED 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA30W1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA30WB1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA60W1200TED 85 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MIXA10WB1200TML 功能描述:IGBT 模塊 Converter-Brake Inverter Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA150Q1200VA 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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