參數(shù)資料
型號： MIXA10WB1200TML
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： E1-PACK-25
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 400K
代理商： MIXA10WB1200TML
2010 IXYS All rights reserved
1 - 7
20100608b
MIXA10WB1200TML
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Preliminary data
Converter - Brake - Inverter
Module
XPT IGBT
Three Phase
Rectifier
Brake
Chopper
Three Phase
Inverter
V
RRM
= 1600 V V
CES = 1200 V
V
CES = 1200 V
I
DAVM25 =
100 A I
C25
= 17 A I
C25
= 17 A
I
FSM
= 320 A V
CE(sat) = 1.8 V VCE(sat) = 1.8 V
Pin configuration see outlines.
Features:
High level of integration - only one
power semiconductor module required
for the whole drive
Rugged XPT design
(Xtreme light Punch Through) results in:
- short circuit rated for 10 sec.
- very low gate charge
- square RBSOA @ 3x I
C
- low EMI
Thin wafer technology combined with
the XPT design results in a competitive
low V
CE(sat)
Temperature sense included
SONIC diode
- fast and soft reverse recovery
- low operating forward voltage
Application:
AC motor drives
Pumps, Fans
Washing machines
Air-conditioning system
Inverter and power supplies
Package:
DCB based "E1-Pack"
Assembly height is 17 mm
Insulated base plate
UL registered E72873
Part name (Marking on product)
MIXA10WB1200TML
E72873
相關PDF資料
PDF描述
MIXA20WB1200TED 28 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA30W1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA30WB1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA60W1200TED 85 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA80W1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MIXA150Q1200VA 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA150R1200VA 功能描述:IGBT 模塊 XPT IGBT Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA150W1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA151W1200EH 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA20W1200MC 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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