參數(shù)資料
型號(hào)： MIXA10WB1200TML
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 17 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： E1-PACK-25
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 400K
代理商： MIXA10WB1200TML
2010 IXYS All rights reserved
4 - 7
20100608b
MIXA10WB1200TML
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
Input Rectifier Bridge D8 - D11
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
V
RRM
max. repetitive reverse voltage
T
VJ =
25°C
1600
V
I
FAV
I
DAVM
average forward current
max. average DC output current
sine 180°
T
C =
80°C
rect.; d = 1/
3
T
C =
80°C
24
69
A
I
FSM
max. forward surge current
t = 10 ms; sine 50 Hz
T
VJ =
25°C
T
VJ = 125°C
270
240
A
I2t
I2t value for fusing
t = 10 ms; sine 50 Hz
T
VJ =
25°C
T
VJ = 125°C
360
290
A2s
P
tot
total power dissipation
T
C =
25°C
70
W
V
F
forward voltage
I
F = 30 A
T
VJ =
25°C
T
VJ = 125°C
1.27
1.24
1.7
V
I
R
reverse current
V
R = VRRM
T
VJ =
25°C
T
VJ = 125°C
0.2
0.02
mA
R
thJC
R
thCH
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
(per diode)
0.6
1.8
K/W
Temperature Sensor NTC
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
R
25
B
25/50
resistance
T
C =
25°C
4.45
4.7
3510
5.0
k
W
K
Module
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
T
VJ
T
VJM
T
stg
operating temperature
max. virtual junction temperature
storage temperature
-40
125
150
125
°C
V
ISOL
isolation voltage
I
ISOL < 1 mA; 50/60 Hz
2500
V~
CTI
comparative tracking index
-
M
d
mounting torque
(M4)
2.0
2.2
Nm
d
S
d
A
creep distance on surface
strike distance through air
12.7
7.6
mm
Weight
40
g
Equivalent Circuits for Simulation
Ratings
Symbol
Definitions
Conditions
min.
typ. max.
Unit
V
0
R
0
rectifier diode
D8 - D13
T
VJ = 150°C
0.86
12.3
V
m
W
V
0
R
0
IGBT
T1 - T6
T
VJ = 150°C
1.1
153
V
m
W
V
0
R
0
free wheeling diode
D1 - D6
T
VJ = 150°C
1.09
91
V
m
W
V
0
R
0
IGBT
T7
T
VJ = 150°C
1.1
153
V
m
W
V
0
R
0
free wheeling diode
D7
T
VJ = 150°C
1.09
91
V
m
W
I
V
0
R
0
T
C = 25°C unless otherwise stated
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PDF描述
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MIXA30W1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
MIXA30WB1200TED 43 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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MIXA80W1200TEH 120 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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MIXA150W1200TEH 功能描述:IGBT 模塊 Six Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA151W1200EH 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack SPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MIXA20W1200MC 功能描述:IGBT 模塊 Six-Pack XPT IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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