參數(shù)資料
型號(hào)： MHV5IC2215NR2_07
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁(yè)數(shù)： 15/19頁(yè)
文件大小： 841K
代理商： MHV5IC2215NR2_07
MHV5IC2215NR2
15
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
60
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 20. 3-Carrier TD-SCDMA ACPR, ALT and
Power Added Efficiency versus Output Power
20
4
25
3.5
30
2.5
15
21
27
2
45
A
35
40
17
0.5
AdjU
P
3Carrier TDSCDMA
V
D1
= V
D2
= 28 V
I
DQ1
= 140 mA, I
DQ2
= 125 mA
f = 2017.5 MHz
AltU
AltL
19
23
25
3
AdjL
50
55
1
1.5
60
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 21. 6-Carrier TD-SCDMA ACPR, ALT and
Power Added Efficiency versus Output Power
20
4
25
3.5
30
2.5
15
21
27
2
45
A
35
40
17
0.5
AdjU
P
AltU
AltL
19
23
25
3
AdjL
50
55
1
1.5
6Carrier TDSCDMA
V
D1
= V
D2
= 28 V
I
DQ1
= 140 mA, I
DQ2
= 125 mA
f = 2017.5 MHz
PAE
PAE
TD-SCDMA TEST SIGNAL
80
130
30
(
40
50
60
70
90
100
110
120
1.5 MHz
Center 2.0175 GHz
Span 15 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 22. 3-Carrier TD-SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
80
130
30
(
40
50
60
70
90
100
110
120
2.5 MHz
Center 2.0175 GHz
Span 25 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 23. 6-Carrier TD-SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
ALT1 in
1.28 MHz BW
1.6 MHz Offset
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
ALT1 in
1.28 MHz BW
1.6 MHz Offset
ALT2 in
1.28 MHz BW
3.2 MHz Offset
ALT2 in
1.28 MHz BW
3.2 MHz Offset
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MHV5IC2215NR2 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHVIC2114NR2 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHVIC2115NR2 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
MHVIC910HNR2 921 MHz-960 MHz SiFET RF Integrated Power Amplifier
MHVIC915NR2 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier
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