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參數資料
| 型號： | MB814100D-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1位速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4米× 1位快速頁面模式的DRAM（的CMOS 4米× 1位速頁面存取模式動態(tài)內存） |
| 文件頁數： | 17/23頁 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | MB814100D-60 |
17
MB814100D-60/MB814100D-70
DESCRIPTION
During fast page mode, the read-modify-write cycle can be executed by changing WE high to low after the data appears at D pin
as well as normal cycle.
RAS
D
IN
V
IH
V
IL
A
0
to A
10
CAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
D
OUT
V
OH
V
OL
Fig. 10 – FAST PAGE MODE READ-MODIFY–WRITE CYCLE
“H” or “L”
Valid Data
COL
ADD
ROW
ADD
COL
ADD
COL
ADD
VALID
DATA OUT
VALID
DATA OUT
VALID
DATA OUT
VALID
DATA IN
VALID
DATA IN
VALID
DATA IN
t
RASP
t
RPWC
t
RSH
t
RP
t
PC
t
CSH
t
CRP
t
RCD
t
CAS
t
CAS
t
RAD
t
RAH
t
ASR
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
CAL
t
CAC
t
ASC
t
RWL
t
RCS
t
WP
t
CWL
t
WP
t
WP
t
DH
t
DS
t
DS
t
DH
t
DS
t
OFF
t
CPA
t
CWL
t
OH
t
OH
t
ON
t
DH
t
ON
t
OFF
t
CAC
t
AA
t
AA
t
CWD
t
CPWD
t
CWD
t
CAC
t
RAC
t
ON
t
AA
t
RWD
t
AWD
t
CWL
t
RAL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB814100D-70 | CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1位速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814260-60 | CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814260-70 | CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814265-60 | CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814265-70 | CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MB81416-10 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:81416-10/MB |
| MB81416-12 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:81416-12 |
| MB814400C-70PJN | 制造商:FUJITSU 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 1M x 4, 26 Pin, Plastic, SOJ |
| MB814405D-60PJN | 制造商:FUJITSU Component Ltd 功能描述: |
| MB8146112 | 制造商:FUJITSU 功能描述:* |
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