參數(shù)資料
型號(hào)： MB814100D-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1位速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 4米× 1位快速頁(yè)面模式的DRAM（的CMOS 4米× 1位速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 16/23頁(yè)
文件大?。?/td> 238K
代理商： MB814100D-60
16
MB814100D-60/MB814100D-70
DESCRIPTION
The fast page mode write cycle is executed by the same manner as fast page mode read cycle except for the state of WE.
The data on DIN pin is latched with the falling edge of CAS and written into the memory. The input data is latched with the later
falling edge of CAS or WE and written into memory. Any of the 2048 bits belonging to each row can be accessed.
In this mode, refresh operation is not supported . The condition of refresh time must be satisfied and RAS timing must be determined
well.
RAS
D
IN
V
IH
V
IL
A
0
to A
10
CAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
D
OUT
V
OH
V
OL
Fig. 9 – FAST PAGE MODE WRITE CYCLE (EARLY WRITE CYCLE)
“H” or “ L”
HIGH-Z
VALID
DATA
VALID
DATA
VALID
DATA
COL
ADD
ROW
ADD
COL
ADD
COL
ADD
t
RASP
t
RHCP
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
PC
t
CSH
t
CRP
t
RCD
t
CAS
t
RAH
t
ASR
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
CAL
t
ASC
t
CAH
t
RAL
t
WCS
t
WCH
t
CWL
t
WCH
t
WCS
t
WCL
t
WCS
t
WCH
t
CWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
t
WP
t
WP
t
RWL
t
RAD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB814100D-70 CMOS 4 M ×1 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 4 M ×1位速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB814260-60 CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB814260-70 CMOS 256K ×16 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 256K ×16 位快速頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB814265-60 CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
MB814265-70 CMOS 256K ×16 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 256K ×16 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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MB81416-12 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:81416-12
MB814400C-70PJN 制造商:FUJITSU 功能描述:Dynamic RAM, Fast Page, 1M x 4, 26 Pin, Plastic, SOJ
MB814405D-60PJN 制造商:FUJITSU Component Ltd 功能描述:
MB8146112 制造商:FUJITSU 功能描述:*
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