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參數(shù)資料
| 型號： | MB8117405A-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4米× 4位超頁模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（4米× 4位超級頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 20/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 348K |
| 代理商： | MB8117405A-60 |
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20
MB8117405A-60/MB8117405A-70
VALID
DATA IN
VALID
DATA IN
COL
ADD
COL
ADD
ROW
ADD
HIGH-Z
CAS
DESCRIPTION
The hyper page mode delayed write cycle is executed in the same manner as the hyper page mode early write cycle except for the
states of WE and OE. Input data on the DQ pins are latched on the falling edge of WE and written into memory. In the hyper page
mode delayed write cycle, OE must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
Fig. 13 – HYPER PAGE MODE DELAYED WRITE CYCLE
V
IH
V
IL
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
WE
DQ
(Input)
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
OE
“H” or “L”
t
RASP
t
RP
t
HPC
Invalid Data
t
RSH
t
CAS
t
CAS
t
CP
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
AR
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
CWL
t
RWL
t
WCH
t
WP
t
CWL
t
WCH
t
RCS
t
WP
t
DZC
t
DS
t
DH
t
DH
t
DS
t
OED
t
ON
t
ON
t
OED
t
ON
t
DZO
t
OEZ
t
ON
t
OEZ
t
OEH
A
0
to A
10
t
OEH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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