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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB8117405A-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4米× 4位超頁模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（4米× 4位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 19/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 348K |
| 代理商： | MB8117405A-60 |
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19
MB8117405A-60/MB8117405A-70
HIGH-Z
VALID
DATA IN
VALID
DATA IN
VALID
DATA IN
COL
ADD
ROW
ADD
COL
ADD
COL
ADD
CAS
Fig. 12 – HYPER PAGE MODE EARLY WRITE CYCLE
V
IH
V
IL
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
A
0
to A
10
WE
DQ
(Input)
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
“H” or “L”
DESCRIPTION
The hyper page mode write cycle is executed in the same manner as the hyper page mode read cycle except the states of WE and
OE are reversed. Data appearing on the DQ pins is latched on the falling edge of CAS and written into memory. During the hyper
page mode write cycle, including the delayed (OE) write and read-modify-write cycles, t
CWL
must be satisfied.
t
RASP
t
RP
t
RHCP
t
CAS
t
CSH
t
CRP
t
RCD
t
CAS
t
PC
t
CAH
t
RAL
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
RAH
t
ASR
t
WCR
t
WCS
t
CWL
t
WCH
t
WCS
t
CWL
t
WCH
t
WCH
t
WCS
t
CWL
t
RWL
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DS
t
DH
t
DHR
t
RSH
t
CP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB8117405A-70 | CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級(jí)頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MB8117800A-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2 M X 8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM |
| MB812 | 功能描述:ACCY MOUNT BMM 3/4 58A RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF配件 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:* |
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| MB-8120 | 制造商:Maxxtro 功能描述: |
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