參數(shù)資料
型號： MB8117405A-60
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 4米× 4位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（4米× 4位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 18/28頁
文件大?。?/td> 348K
代理商： MB8117405A-60
18
MB8117405A-60/MB8117405A-70
CAS
Fig. 11 – HYPER PAGE MODE READ CYCLE (WE Control)
RAS
A
0
to A
10
WE
DQ
(Input)
DQ
(Output)
DESCRIPTION
The hyper page mode of operation permits faster successive memory operations at multiple column locations of the same row
address.
This operation is performed by strobing in the row address and maintaining RAS at a Low level during all successive memory cycles
in which the row address is latched. The access time is determined by t
CAC
, t
AA
, t
CPA
, or t
OEA
, whichever one is the latest in occurring.
To obtain a high impedance state, confirm either of the following conditions, OE set to a High level or WE set to a Low level after
CAS set to a High level or RAS and CAS set to a High level.
OE
“H” or “L”
During one cycle is achieved in hyper-page mode, the input/output timing apply the same manner
as the former cycle.
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
t
RASP
t
CRP
t
ASR
t
ASC
t
RCS
t
RHCP
t
RP
t
CAS
t
RSH
t
HPC
t
CAS
t
CAS
t
DZC
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
ASC
t
RCH
t
CAC
t
AA
t
CSH
t
RAL
HIGH-Z
t
OFF
t
OH
t
RDD
t
OH
t
OH
t
AA
t
CAC
t
ON
t
AA
t
OEA
t
DZO
t
ON
t
RAC
t
OFR
t
RCS
t
RCH
t
WPZ
t
RCH
t
CAL
t
WEZ
t
ON
t
WEZ
t
WPZ
t
CDD
t
WED
t
WEZ
t
ON
t
AR
t
RCS
t
WPZ
t
RCD
V
OH
V
OL
COL
ADD
t
CAC
t
OED
t
OEZ
t
RAH
t
RAD
VALID
VALID
DATA OUT
VALID
DATA OUT
HIGH-Z
ROW
ADD
COL
ADD
COL
ADD
相關PDF資料
PDF描述
MB8117405A-70 CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM)
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MB8117800A-60 CMOS 2 M ×8BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 2 M ×8 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MB8117800A-70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2 M X 8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM
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