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參數(shù)資料
| 型號： | MB8117400B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位快速頁面模式動態(tài)RAM（的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式的RAM） |
| 文件頁數(shù)： | 17/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 473K |
| 代理商： | MB8117400B-60 |
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17
MB8117400B-50/-60
Fig. 8 – READ-MODIFY-WRITE CYCLE
RAS
CAS
A
0
to A
10
VALID
DATA IN
COL
ADD
ROW
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
VALID
HIGH-Z
DESCRIPTION
The read-modify-write cycle is executed by changing WE from High to Low after the data appears on the DQ pins. In the read-
modify-write cycle, OE must be changed from Low to High after the memory access time.
WE
OE
t
RWC
t
RAS
t
CSH
t
RP
t
RSH
t
CAS
t
RCD
t
RAD
t
RAH
t
ASC
t
AWD
t
CWD
t
WP
t
RWD
t
CWL
t
CAH
t
RWL
t
RAL
t
RCS
t
DS
t
DH
t
DZC
t
AA
t
ON
t
CRP
t
ASR
t
OED
t
CAC
t
RAC
t
OEA
t
DZO
t
OEZ
t
OEH
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H
→
L” or “L
→
H” transition (Address and DQ)
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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