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參數(shù)資料
| 型號： | MB8117400B-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁面存取模式RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位快速頁面模式動態(tài)RAM（的CMOS 4米× 4位快速頁面存取模式的RAM） |
| 文件頁數(shù)： | 16/28頁 |
| 文件大小： | 473K |
| 代理商： | MB8117400B-60 |
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16
MB8117400B-50/-60
Fig. 7 – OE (DELAYED WRITE CYCLE)
CAS
RAS
Invalid Data
VALID
DATA IN
COL
ADD
ROW
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
DESCRIPTION
In the OE (delayed write) cycle, t
WCS
is not satisfied ; thus, the data on the DQ pins is latched with the falling edge of WE and
written into memory. The Output Enable (OE) signal must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
DS
).
OE
A
0
to A
10
WE
t
RC
t
RAS
t
CRP
t
RAD
t
RCD
t
CSH
t
CAS
t
RSH
t
ASC
t
RAH
t
ASR
t
CWL
t
RWL
t
RAL
t
CAH
t
RP
t
WCH
t
DZC
t
AA
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
DS
t
DH
t
OED
t
CAC
t
RAC
t
DZO
t
OEA
t
OEZ
t
OEH
t
WP
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H
→
L” or “L
→
H” transition (Address and DQ)
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
DQ
(Input)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
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PDF描述 |
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