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參數(shù)資料
| 型號： | MB8116405A-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4米× 4位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（4米× 4位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 14/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 536K |
| 代理商： | MB8116405A-60 |
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14
MB8116405A-60/MB8116405A-70
VALID
DATA IN
COL
ADD
ROW
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
t
RC
t
RAS
t
CRP
t
CSH
t
RCD
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCS
t
AR
t
WCH
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
DZC
t
OED
t
ON
t
DZO
t
ON
t
OEZ
t
OEH
Fig. 6 – OE (DELAYED WRITE CYCLE)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
RAS
A
0
to A
11
CAS
WE
DQ
(Input)
“H” or “L”
Invalid Data
DESCRIPTION
In the OE (delayed write) cycle, t
WCS
is not satisfied ; thus, the data on the DQ pins is latched with the falling edge of WE and
written into memory. The Output Enable (OE) signal must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
DS
).
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
OE
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PDF描述 |
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