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參數(shù)資料
| 型號： | M5M4V16169DRT-8 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 22182053 |
| 中文描述： | 16MCDRAM：16米（100萬字由16位）與16K的緩存內(nèi)存（1024字由16位）的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 40/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 737K |
| 代理商： | M5M4V16169DRT-8 |
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M5M4V16169DTP/RT-7,-8,-10,-15
16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM
MITSUBISHI LSIs
(REV 1.0) Jul. 1998
MITSUBISHI ELECTRIC
40
DRAM Power Down / DRAM Activate / DRAM Precharge
2
3
4
1
RAS only Refresh cycle
K
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
CMd#
RAS#
CAS#
DTD#
Ad0-11
CS#
PCG
DPD DPD ACT
DNOP DNOP DNOP DNOP
PCG DPD
DPD DPD
DPD
Row
tRC
tRP
tRAS
CMs#
CC0#
DQC(u/l)
WE#
CC1#
G#
As0-9
DQ0-15
SRAM operation can be freely performed.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V16G50DFP-10 | 16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM |
| M5M4V16G50DFP-12 | 16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM |
| M5M4V16G50DFP-8 | 16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM |
| M5M4V64S20ATP-10 | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-10L | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M5M4V16169DTP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-15 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
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