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參數(shù)資料
| 型號： | M5M4V16169DRT-8 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 22182053 |
| 中文描述： | 16MCDRAM：16米（100萬字由16位）與16K的緩存內(nèi)存（1024字由16位）的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 24/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 737K |
| 代理商： | M5M4V16169DRT-8 |
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M5M4V16169DTP/RT-7,-8,-10,-15
16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM
MITSUBISHI LSIs
(REV 1.0) Jul. 1998
MITSUBISHI ELECTRIC
K
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
1
As0-2
G#
DQ0-15
As3-11
L
Q1+1
D2
DQC(u / l)
WE#
CC0#
CC1#
ADF#
DES SR
DES SR
SPD SPD DES SW
SW
SR
SR
SR
SR
Q1
D1+2
C1
C2
C3
Q4
Q3
Q5
Q6
C4
C5
C6
C1
C2
C3
C4
C5
C6
Burst address is
not incremented
by DES, SPD.
ADF#=Low
is equal to
non-burst
mode.
"Insert wait" is possible.
Burst Mode (2)
M5M4V16169D keeps compatibility setting ADF# low or setting Burst length=1 by SCR cycle.
(Ad7, Ad8 and Ad9=0)
24
CMs#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V16G50DFP-10 | 16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM |
| M5M4V16G50DFP-12 | 16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM |
| M5M4V16G50DFP-8 | 16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM |
| M5M4V64S20ATP-10 | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-10L | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M5M4V16169DTP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-15 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
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