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參數(shù)資料
| 型號： | M5M4V16169DRT-8 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 22182053 |
| 中文描述： | 16MCDRAM：16米（100萬字由16位）與16K的緩存內(nèi)存（1024字由16位）的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 2/64頁 |
| 文件大小： | 737K |
| 代理商： | M5M4V16169DRT-8 |
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M5M4V16169DTP/RT-7,-8,-10,-15
16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM
MITSUBISHI LSIs
(REV 1.0) Jul. 1998
MITSUBISHI ELECTRIC
BLOCK DIAGRAM 1
1M bit
DRAM
Array
Column Block Decoder
Sense Amplifier and I/O control
KBuffer
Timing
control
Main
Amp.
Din
Buffer
Col.3-7
Row 0-11
Command (0-6)
0
1
2
7
As3-9
As0-2
DQCu
(Enable upper)
DQCl
(Enable lower)
Mask
Mask
Vcc
1 54 35
Vss
0
2
1
(Row Address strobe)
(Column Address strobe)
(Data Transfer Direction)
(Clock Mask for DRAM)
(Master ClocK)
(Clock Mask for SRAM)
WE#
(Write Enable)
CC0#
(Control Clock 0)
CC1#
(Control Clock 1)
ADF#
7
0
7
1
16
1M x 16=
16M DRAM
2
S/A and I/O
1KBit
SRAM
Array
Write Buffer 2
Write Buffer 1
Read Buffer1
Read Buffer2
1Kx16=16K
SRAM
Col.Decoder
WB2 Mask
WB1
Mask
(Chip Select)
K
RB1
RB2
WB2
WB1
WB2M
WB1M
Ad11
66
Ad10 65
Ad9
69
Ad8
68
Ad7
67
Ad2
34
Ad1
33
Ad0
32
VccQ
15 20 51 56
12 23 48 59 70 17 36
RAS#
29
CAS#
30
DTD#
31
CMd#
8
CS#
7
10
CMs#
9
6
5
4
3
2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
11
13
14
16
19
21
22
24
47
49
50
52
55
57
58
60
45 G#
As9 64
As8 63
As7 62
As6 61
As5 44
As4 43
As3 42
As2 28
As1 27
As0 26
(Address Fetch)
37
Ad6
41
Ad5
40
Ad4
39
Ad3
38
DRAM
Address
Input
SRAM
Address
input
(Output Enable)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V16G50DFP-10 | 16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM |
| M5M4V16G50DFP-12 | 16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM |
| M5M4V16G50DFP-8 | 16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM |
| M5M4V64S20ATP-10 | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
| M5M4V64S20ATP-10L | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M5M4V16169DTP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-15 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
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