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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M59MR032D |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，復(fù)用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 47/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 352K |
| 代理商： | M59MR032D |
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47/49
M59MR032C, M59MR032D
Table 40. μBGA46 - 10 x 4 ball array, 0.5 mm pitch, Package Mechanical Data
millimeters
Symbol
Typ
Min
A
A1
0.150
A2
0.700
b
0.320
0.250
D
10.530
10.480
D1
4.500
–
D2
6.500
–
D3
8.500
–
ddd
e
0.500
–
E
6.290
6.240
E1
1.500
–
E2
3.500
–
E3
5.500
–
FD
3.015
–
FD1
2.015
–
FD2
1.015
–
FE
2.395
–
FE1
1.395
–
FE2
0.395
–
SD
0.250
–
SE
0.250
–
inches
Min
Max
1.000
Typ
Max
0.0394
0.0059
0.0276
0.0126
0.4146
0.1772
0.2559
0.3346
0.400
10.580
–
–
–
0.080
–
6.340
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.0098
0.4126
–
–
–
0.0157
0.4165
–
–
–
0.0031
–
0.2496
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
0.0197
0.2476
0.0591
0.1378
0.2165
0.1187
0.0793
0.0400
0.0943
0.0549
0.0156
0.0098
0.0098
–
0.2457
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Figure 20.
μBGA46 - 10 x 4 ball array, 0.5 mm pitch, Bottom View Package Outline
Drawing is not to scale.
A2
A1
BGA-G07
DUMMY BALLS
D
D1
e
FD2
FD1
b
E
E1
ddd
E3
D3
SD
SE
FE
A
BALL "A1"
E2
D2
FD
FE1 FE2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5K4164AL-12 | 65 536 BIT DYNAMIC RAM |
| M5K4164AL-15 | 65 536 BIT DYNAMIC RAM |
| M5M27C202K-12I | 2097152-BIT(131072-WORD BY 16-BIT) CMOS ERASABLE AND ELECTRICALLY REPROGRAMMABLE ROM |
| M5M27C202K-15I | 2097152-BIT(131072-WORD BY 16-BIT) CMOS ERASABLE AND ELECTRICALLY REPROGRAMMABLE ROM |
| M5M27C202JK-12I | 2097152-BIT(131072-WORD BY 16-BIT) CMOS ERASABLE AND ELECTRICALLY REPROGRAMMABLE ROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59MR032D100GC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D100ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D120GC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D120ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032DGC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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