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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M59MR032D |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，復(fù)用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 3/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 352K |
| 代理商： | M59MR032D |
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M59MR032C, M59MR032D
Figure 3. μBGA Connections (Top view through package)
AI90111
VDDQ
ADQ10
ADQ11
ADQ4
ADQ5
VSS
ADQ14
ADQ15
H
ADQ9
ADQ2
ADQ3
ADQ6
ADQ7
VSS
G
A18
WP
RP
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L
A20
A16
VDDQ
F
A19
VPP
W
VDD
K
WAIT
E
8
7
6
5
4
3
2
1
ADQ1
ADQ8
E
A17
ADQ0
G
10
9
ADQ13
ADQ12
VSS
VSS
D
C
B
A
DU
DU
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DU
DU
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5K4164AL-12 | 65 536 BIT DYNAMIC RAM |
| M5K4164AL-15 | 65 536 BIT DYNAMIC RAM |
| M5M27C202K-12I | 2097152-BIT(131072-WORD BY 16-BIT) CMOS ERASABLE AND ELECTRICALLY REPROGRAMMABLE ROM |
| M5M27C202K-15I | 2097152-BIT(131072-WORD BY 16-BIT) CMOS ERASABLE AND ELECTRICALLY REPROGRAMMABLE ROM |
| M5M27C202JK-12I | 2097152-BIT(131072-WORD BY 16-BIT) CMOS ERASABLE AND ELECTRICALLY REPROGRAMMABLE ROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59MR032D100GC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D100ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D120GC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D120ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032DGC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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