- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383304 > M59MR032D (意法半導體) 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M59MR032D |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，復用的I / O，雙行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 35/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 352K |
| 代理商： | M59MR032D |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁當前第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁
35/49
M59MR032C, M59MR032D
Table 31. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
(T
A
= –40 to 85 °C; V
DD
= V
DDQ
= 1.65V to 2.0V)
Symbol
Alt
Parameter
M59MR032
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
100
120
ns
t
AVLH
Address Valid to Latch Enable High
10
10
ns
t
DVWH
t
DS
Input Valid to Write Enable High
50
50
ns
t
ELLH
Chip Enable Low to Latch Enable High
10
10
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
0
0
ns
t
GHLL
Output Enable High to Latch Enable Low
20
20
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
20
20
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
10
10
ns
t
LHWH
Latch Enable High to Write Enable High
10
10
ns
t
LLLH
Latch Enable Pulse Width
10
10
ns
t
PLQ7V
RP Low to Reset Complete During
Program/Erase
15
15
μs
t
VDHEL
t
VCS
V
DD
High to Chip Enable Low
50
50
μs
t
VPPHWH
V
PP
High to Write Enable High
200
200
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
0
0
ns
t
WHGL
t
OEH
Write Enable High to Output Enable Low
0
0
ns
t
WHLL
Write Enable High to Latch Enable Low
0
0
ns
t
WHVPPL
Write Enable High to V
PP
Low
200
200
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
30
30
ns
t
WHWPL
Write Enable High to Write Protect Low
200
200
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
50
50
ns
t
WPHWH
Write Protect High to Write Enable High
200
200
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5K4164AL-12 | 65 536 BIT DYNAMIC RAM |
| M5K4164AL-15 | 65 536 BIT DYNAMIC RAM |
| M5M27C202K-12I | 2097152-BIT(131072-WORD BY 16-BIT) CMOS ERASABLE AND ELECTRICALLY REPROGRAMMABLE ROM |
| M5M27C202K-15I | 2097152-BIT(131072-WORD BY 16-BIT) CMOS ERASABLE AND ELECTRICALLY REPROGRAMMABLE ROM |
| M5M27C202JK-12I | 2097152-BIT(131072-WORD BY 16-BIT) CMOS ERASABLE AND ELECTRICALLY REPROGRAMMABLE ROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59MR032D100GC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D100ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D120GC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032D120ZC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M59MR032DGC | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。