參數(shù)資料
型號(hào): M29W160ET90ZA6T
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: CLAMP
中文描述: 16兆位(含2Mb x8或1兆x16插槽,引導(dǎo)塊)3V電源快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù): 27/40頁(yè)
文件大?。?/td> 665K
代理商: M29W160ET90ZA6T
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M29W160ET, M29W160EB
Figure 16. TFBGA48 6x8mm - 6x8 ball array, 0.80 mm pitch, Package Outline
Table 17. TFBGA48 6x8mm - 6x8 ball array, 0.80 mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.260
0.0102
A2
0.900
0.0354
b
0.350
0.450
0.0138
0.0177
D
6.000
5.900
6.100
0.2362
0.2323
0.2402
D1
4.000
0.1575
ddd
0.100
0.0039
E
8.000
7.900
8.100
0.3150
0.3110
0.3189
E1
5.600
0.2205
e
0.800
0.0315
FD
1.000
0.0394
FE
1.200
0.0472
SD
0.400
0.0157
SE
0.400
0.0157
E1
E
D1
D
e
b
A2
A1
A
BGA-Z32
ddd
FD
FE
SD
SE
e
BALL "A1"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W160DB70ZA1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB70ZA6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB90N1T Dual Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop 8-DSBGA -40 to 85
M29W160DB90N6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB90ZA1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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M29W160FB70N3E 功能描述:IC FLASH 16MB 70NS 48TSOP AUTO RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M29W160FB70N3F 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲(chǔ)容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M29W160FB70ZA3F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
M29W160FB80ZA3SE 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays