參數(shù)資料
型號： M29W160ET90ZA6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CLAMP
中文描述： 16兆位（含2Mb x8或1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 22/40頁
文件大小： 665K
代理商： M29W160ET90ZA6T
M29W160ET, M29W160EB
22/40
Figure 11. Read Mode AC Waveforms
Table 12. Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29W160E
Unit
70
90
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Min
70
90
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
70
90
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
G = V
IL
Min
0
0
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
70
90
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
E = V
IL
Min
0
0
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
30
35
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
25
30
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
25
30
ns
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
OH
Chip Enable, Output Enable or Address
Transition to Output Transition
Min
0
0
ns
t
ELBL
t
ELBH
t
ELFL
t
ELFH
Chip Enable to BYTE Low or High
Max
5
5
ns
t
BLQZ
t
FLQZ
BYTE Low to Output Hi-Z
Max
25
30
ns
t
BHQV
t
FHQV
BYTE High to Output Valid
Max
30
40
ns
AI02922
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQX
VALID
A0-A19/
A–1
G
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
E
tELQV
tEHQX
tGHQZ
VALID
tBHQV
tELBL/tELBH
tBLQZ
BYTE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W160DB70ZA1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB70ZA6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB90N1T Dual Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop 8-DSBGA -40 to 85
M29W160DB90N6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB90ZA1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W160FB 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit or 32 Mbit (x 8 or x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W160FB70N3E 功能描述:IC FLASH 16MB 70NS 48TSOP AUTO RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M29W160FB70N3F 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M29W160FB70ZA3F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
M29W160FB80ZA3SE 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*