參數(shù)資料
型號： M29W160ET90ZA6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CLAMP
中文描述： 16兆位（含2Mb x8或1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 1/40頁
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代理商： M29W160ET90ZA6T
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January 2004
M29W160ET
M29W160EB
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)
3V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
SUPPLY VOLTAGE
–
V
CC
=
2.7V to 3.6V for Program, Erase
and Read
ACCESS TIMES: 70, 90ns
PROGRAMMING TIME
–
10μs per Byte/Word typical
35 MEMORY BLOCKS
–
1 Boot Block (Top or Bottom Location)
–
2 Parameter and 32 Main Blocks
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
–
Embedded Byte/Word Program
algorithms
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
–
Read and Program another Block during
Erase Suspend
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
–
Faster Production/Batch Programming
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
COMMON FLASH INTERFACE
–
64 bit Security Code
LOW POWER CONSUMPTION
–
Standby and Automatic Standby
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
ELECTRONIC SIGNATURE
–
Manufacturer Code: 0020h
–
Top Device Code M29W160ET: 22C4h
–
Bottom Device Code M29W160EB: 2249h
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Figure 1. Packages
TSOP48 (N)
12 x 20mm
TFBGA48 (ZA)
6 x 8mm
FBGA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W160DB70ZA1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB70ZA6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB90N1T Dual Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop 8-DSBGA -40 to 85
M29W160DB90N6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB90ZA1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W160FB 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit or 32 Mbit (x 8 or x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W160FB70N3E 功能描述:IC FLASH 16MB 70NS 48TSOP AUTO RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M29W160FB70N3F 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M29W160FB70ZA3F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
M29W160FB80ZA3SE 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays
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