參數資料
型號： M29W160ET90ZA6T
廠商： 意法半導體
英文描述： CLAMP
中文描述： 16兆位（含2Mb x8或1兆x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數： 23/40頁
文件大?。?/td> 665K
代理商： M29W160ET90ZA6T
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M29W160ET, M29W160EB
Figure 12. Write AC Waveforms, Write Enable Controlled
Table 13. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29W160E
Unit
70
90
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
70
90
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Input Valid to Write Enable High
Min
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
Min
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
30
30
ns
t
AVWL
t
AS
Address Valid to Write Enable Low
Min
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Write Enable Low to Address Transition
Min
45
50
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
0
0
ns
t
WHGL
t
OEH
Write Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
ns
t
WHRL (1)
t
BUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
35
ns
t
VCHEL
t
VCS
V
CC
High to Chip Enable Low
Min
50
50
μs
AI02923
E
G
W
A0-A19/
A–1
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VALID
VCC
tVCHEL
tWHEH
tWHWL
tELWL
tAVWL
tWHGL
tWLAX
tWHDX
tAVAV
tDVWH
tWLWH
tGHWL
RB
tWHRL
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PDF描述
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