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參數(shù)資料
| 型號： | M12L64164A-5BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, VBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 43/45頁 |
| 文件大小： | 831K |
| 代理商： | M12L64164A-5BG |
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ES MT
M12L64164A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
3.0
Publication Date
:
Mar. 2007
43/45
PACKING DIMENSIONS
54-LEAD TSOP(II) SDRAM (400mil) (1:3)
Symbol
A
A1
A2
b
b1
c
c1
D
E
E1
L
L1
e
Θ
Dimension in mm
Min
Norm
0.05
0.10
0.95
1.00
0.25
0.25
0.35
0.12
0.21 0.005
0.10 0.127 0.16 0.004 0.005 0.006
22.22 BSC
11.76 BSC
10.16 BSC
0.40
0.50
0.60 0.016 0.020 0.024
0.80 REF
0.80 BSC
0
°
10
°
Dimension in inch
Min
Norm
0.15 0.002 0.004 0.006
1.05 0.037 0.039 0.041
0.45 0.010
0.40 0.010 0.014 0.016
Max
Max
1.20
0.047
0.018
0.008
0.875 BSC
0.463 BSC
0.400 BSC
0.031 REF
0.031 BSC
0
°
10
°
O
L
DETAIL "A"
SECTION B-B
B
B
0.10
-C-
D
E
E
1
e
PLANE
SEATING
1
L
1
27
28
54
A
2
A
-H-
b
DETAIL A
-C-
IDENTIFIER
-C-
SEE
b
b
c
c
1
1
0.665 REF
0.21 REF
A
1
PIN1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L64164A-6BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-7BG | 1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-5TG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64322A-6BG | 512K x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L64164A-5BG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
| M12L64164A-5BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-5TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L64164A-5TG2Y | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks |
| M12L64164A-5TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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