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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12L2561616A-6BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 13 MM, LEAD FREE, BGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 37/44頁 |
| 文件大小： | 908K |
| 代理商： | M12L2561616A-6BG |
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ES MT
M12L2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.2
Publication Date
:
Aug. 2007
37/44
Read interrupted by Precharge Command & Read Burst Stop Cycle @ Burst Length = Full page
*Note : 1. About the valid DQs after burst stop, it is same as the case of RAS interrupt.
Both cases are illustrated above timing diagram. See the label 1,2 on them.
But at burst write, Burst stop and RAS interrupt should be compared carefully.
Refer the timing diagram of “Full page write burst stop cycles”.
2. Burst stop is valid at every burst length.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L2561616A-6TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-7BG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-7TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A-7BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L2561616A-6BG2K | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L2561616A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-6TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-6TG2K | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L2561616A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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