參數(shù)資料
型號(hào)： M12L16161A-7TG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
中文描述： 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO50
封裝： 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50
文件頁(yè)數(shù)： 9/30頁(yè)
文件大?。?/td> 714K
代理商： M12L16161A-7TG
ES MT
Mode Register
11
10
0
0 0 0 1
11
10
9
x x 1 0 0 LTMODE
11
10
9
8
1 0
11
10
9
8
x x x 1 1 v v v v
11
10
9
8
0 0 0 0 0
M12L16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2005
Revision
:
2.4
9/30
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
JEDEC Standard Test Set (refresh counter test)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
WT
BL
Burst Read and Single Write (for Write
Through Cache)
7
6
5
4
3
2
1
0
Use in future
7
6
5
4
3
2
1
0
v
v
v
0
Vender Specific
7
6
5
4
3
2
1
v =Valid
LTMODE
WT BL
Mode Register Set x =Don’t care
Bit2-0
000
001
010
011
100
101
110
111
WT=0
1
2
4
8
R
R
R
Full page
WT=1
1
2
4
8
R
R
R
R
Burst length
0
1
Sequential
Interleave
Wrap type
Bits6-4
CAS Latency
R
R
2
3
R
R
R
R
Remark R : Reserved
000
001
010
011
100
101
110
111
Latency mode
Mode Register Write Timing
Mode Register Write
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0-A11
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PDF描述
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