參數(shù)資料
型號： M12L16161A-7TG
廠商： ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
中文描述： 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO50
封裝： 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50
文件頁數(shù)： 17/30頁
文件大?。?/td> 714K
代理商： M12L16161A-7TG
ES MT
Page Read Cycle at Different Bank @ Burst Length=4
M12L16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2005
Revision
:
2.4
17/30
*Note: 1.CS can be don’t cared when RAS , CAS and
WE
are high at the clock high going dege.
2.To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
BA
ADDR
A10/AP
CL=2
CL=3
WE
DQM
HIGH
*Note2
RAa
CAa
RBb
RAa
Read
(A-Bank)
Row Active
Row Active
(B-Bank)
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
DQ
CBb
CAc
CBd
CAe
QAa0
*Note1
RBb
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
QAa1 QAa2 QAa3
QBb0
QBb1 QBb2
QBb3
QAc0
QAc1 QBd0
QBd1
QAe0
QAe1
QAa0 QAa1 QAa2 QAa3
QBb0 QBb1
QBb2 QBb3
QAc0
QAc1 QBd0
QBd1 QAe0
QAe1
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