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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12L128324A-7BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 23/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 794K |
| 代理商： | M12L128324A-7BG |
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ES MT
M12L128324A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2006
Revision
:
1.2
23/47
6. Precharge
.
7. Auto Precharge
1) N o r m a l W r i t e ( B L = 4 )
*Note
:
1. t
RDL
: Last data in to row precharge delay.
2. Number of valid output data after row precharge : 1,2 for CAS Latency = 2,3 respectively.
3. The row active command of the precharge bank can be issued after t
RP
from this point.
The new read/write command of other activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/another bank is illegal.
CLK
C M D
DQ
D0
D1
D2
D3
W R
CLK
C M D
DQ(CL2)
Q0
Q1
Q2
Q3
R D
DQ(CL3)
* N o t e 3
Auto Precharge starts
Q0
Q1
Q2
Q3
* N o t e 3
Auto Precharge starts
2) No r m al R ea d ( B L= 4 )
t
RD L
CLK
DQ
D0
D1
D2
D3
W R
t
RD L
*Not e 1
CLK
C M D
C M D
DQ(CL2)
Q0
Q1
Q2
2*No t e 2
1*No t e 2
Q3
R D
PRE
DQ( CL3)
Q0
Q1
Q2
Q3
PRE
1) N o r m a l W r i t e ( B L = 4 )
2) No r m a l R ea d ( B L= 4 )
CL=2
PRE
CL=3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L128324A-7TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6BG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-5TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128324A-7BG2E | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L128324A-7BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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