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參數(shù)資料
| 型號： | M12L128324A-7BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 13 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 21/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 794K |
| 代理商： | M12L128324A-7BG |
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ES MT
M12L128324A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date: Mar. 2006
Revision
:
1.2
21/47
4.
CAS
Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
CLK
i ) C M D
DQ M
DQ
D1
D3
D0
D2
W R
i i ) C M D
DQ M
DQ
i i i ) C M D
DQ M
DQ
i v) C M D
DQ M
DQ
D1
D3
D0
D2
R D
W R
R D
W R
D1
D3
D0
D2
D1
D3
D0
D2
R D
W R
H i - Z
Q0
* Not e 1
H i - Z
H i - Z
(a) CL=2 ,BL= 4
R D
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L128324A-7TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6BG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-6TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-5TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128324A-7BG2E | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L128324A-7BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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