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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M12L128168A-5TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/43頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 804K |
| 代理商： | M12L128168A-5TG |
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ESMT
M12L128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
2.0
Publication Date
:
Oct. 2006
34/43
Read & Write Cycle at Different Bank @ Burst Length = 4
*Note : 1. t
CDL
should be met to complete write.
C L O C K
C K E
C S
R A S
C A S
A D D R
W E
DQ
DQ M
A10/AP
A13
A12
CL = 2
CL = 3
Row Active
( A- Bank)
Read
(B- Ban k)
: D o n ' t C a r e
QAa1 QAa2 QAa3
Ddb1 DDb2 DDd3
DDb0
QAa0
RAa
CBc
RAa
CAa
QAa1 QAa2 QAa3
Ddb1 DDb2 DDd3
DDb0
QAa0
W rite
( D- Bank)
HIGH
RD b
CD b
RBc
RBb
RAc
QBc0 QBc1 QBc2
QBc0 QBc1
Read
(A- Bank)
Row Active
( D- Bank)
Precharge
( A- Bank)
Row Active
(B-Bank)
t
CD L
*Not e 1
1
9
2
10
3
4
5
6
7
8
11
12
13
14
17
15
18
16
19
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L128168A-6TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-7TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7BG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A-7TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128324A | 1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L128168A-5TG2L | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
| M12L128168A-5TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-6BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L128168A-6BG2L | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS |
| M12L128168A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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