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參數(shù)資料
| 型號： | LRS1341 |
| 廠商： | Sharp Corporation |
| 英文描述： | Stacked Chip 16M Flash Memory and 2M SRAM |
| 中文描述： | 堆疊芯片1,600快閃記憶體以及2M SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 21/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 197K |
| 代理商： | LRS1341 |
Stacked Chip (16M Flash & 2M SRAM)
LRS1341/LRS1342
Data Sheet
21
SRAM DATA RETENTION CHARACTERISTICS
T
A
= -25
°
C to +85
°
C
NOTES:
1. Reference value at T
A
= 25
°
C, S-V
CC
= 3.0 V.
2. S-CE
1
≥
V
CC
- 0.2 V, S-CE
2
≥
V
CC
- 0.2 V (S-CE
1
controlled) or S-CE
2
≤
0.2 V (S-CE
2
controlled).
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN.
TYP.
1
MAX.
UNIT
NOTES
Data Retention Supply Voltage
V
CCDR
S-CE
2
≤
0.2 V or
S-CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
V
CCDR
= 3V, S-CE
2
≤
0.2 V or
S-CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
2.0
3.6
V
2
Data Retention Supply Current
I
CCDR
35
μA
2
Chip Enable Setup Time
t
CDR
t
R
0
ns
Chip Enable Hold Time
5
ms
Figure 13. Data Retention Timing Diagram (S-CE
1
Controlled)
Figure 14. Data Retention Timing Diagram (S-CE
2
Controlled)
Data Retention Mode
2.7 V
0 V
NOTE:
To control the data retention mode at S-CE
, fix the input level of S-CE
between
V
CCDR
and V
CCDR
- 0.2 V, or 0 V and 0.2 V, and during the data retention mode.
2.2 V
V
CCDR
S-V
CC
S-CE
1
S-CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 V
t
CDR
t
R
LRS1342-12
Data Retention Mode
0.6 V
0 V
2.7 V
V
CCDR
S-V
CC
S-CE
2
S-CE
2
≤
0.2 V
t
CDR
t
R
LRS1342-13
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PDF描述 |
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