- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373153 > KM4132G271BQ(R)-7 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM4132G271BQ(R)-7 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| 中文描述： | 128K的x 32位× 2銀行同步圖形RAM的LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 9/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 1033K |
| 代理商： | KM4132G271BQ(R)-7 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁當(dāng)前第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁
KM4132G271B
CMOS SGRAM
- 9 -
Rev. 2.4 (May 1998)
OPERATING AC PARAMETER
(AC operating conditions unless otherwise noted)
1. The minimum number of clock cycles is determined by dividing the minimum time required with clock cycle time and then
rounding off to the next higher integer.
2. Minimum delay is required to complete write.
3. This parameter means minimum CAS to CAS delay at block write cycle only.
4. In case of row precharge interrupt, auto precharge and read burst stop.
Note :
Parameter
Symbol
Version
Unit
Note
-7
-8
-10
Row active to row active delay
t
RRD(min)
14
16
20
ns
1
RAS to CAS delay
t
RCD(min)
16
16
20
ns
1
Row precharge time
t
RP(min)
21
20
20
ns
1
Row active time
t
RAS(min)
49
48
50
ns
1
t
RAS(max)
100
us
Row cycle time
t
RC(min)
70
70
70
ns
1
Last data in to new col. address delay
t
CDL(min)
1
CLK
2
Last data in to row precharge
t
RDL(min)
1
CLK
2
Last data in to burst stop
t
BDL(min)
1
CLK
2
Col. address to col. address delay
t
CCD(min)
1
CLK
3
Block write data-in to PRE command delay
t
BPL(min)
1
CLK
Block write cycle time
t
BWC(min)
1
CLK
1, 3
Number of valid output data
CAS latency=3
2
CLK
4
CAS latency=2
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM4132G271BQ(R)-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G512 | 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM) |
| KM416C1200B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G271BQR-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQR-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。