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參數(shù)資料
| 型號： | KM4132G271BQ(R)-7 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| 中文描述： | 128K的x 32位× 2銀行同步圖形RAM的LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 40/51頁 |
| 文件大小： | 1033K |
| 代理商： | KM4132G271BQ(R)-7 |
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KM4132G271B
CMOS SGRAM
- 40
Rev. 2.4 (May 1998)
Read & Write Cycle with Auto Precharge III @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
: Don
′
t care
*Note :
1. Any command to A-bank is not allowed in this period.
tRP is determined from at auto precharge start point
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(B-Bank)
A9
A8
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
Ra
Ca
Ra
Cb
Rb
Rb
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
DQM
DSF
(CL=2)
(CL=3)
DQ
DQ
*Note 1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM4132G271BQ(R)-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ-8 | 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G512 | 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM) |
| KM416C1200B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G271BQR-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BQR-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-10 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
| KM4132G271BTQ(R)-8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL |
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